1.一种用于硅材料微孔蚀刻的蚀刻液，其特征是，其蚀刻液由以下物质的水溶液组

　　成，氟化铵、硝酸钾、硫酸、过硫酸铵、山梨醇、聚氧乙烯醚化合物、氢氟酸、磷酸酯盐，按重量

　　2.根据权利要求1所述的一种用于硅材料微孔蚀刻的蚀刻液，其特征是，按重量份

　　3.根据权利要求2所述的一种用于硅材料微孔蚀刻的蚀刻液，其特征是，按重量份

　　4.根据权利要求1所述的一种用于硅材料微孔蚀刻的蚀刻液，其特征是，所述硫酸为

　　5.基于权利要求1‑4任一权利要求所述的一种用于硅材料微孔蚀刻的蚀刻液，还包括

　　S1、称取氯化铵后加水溶解，加入硝酸钾、硫酸、过硫酸铵、氢氟酸搅拌均匀并冷却，再

　　S2、将混合溶液加热至30‑50℃，放入表面设有若干个微孔的硅产品做蚀刻。

　　6.根据权利要求5所述的一种硅材料微孔蚀刻的蚀刻方法，其特征是，所述硅产品放

　　7.根据权利要求5所述的一种硅材料微孔蚀刻的蚀刻方法，其特征是，所述步骤S2中

　　8.根据权利要求5所述的一种硅材料微孔蚀刻的蚀刻方法，其特征是，所述蚀刻时间

　　在加工过程会产生一些颗粒物和破碎层，为了能够更好的保证微孔通过气体后不带入颗粒污染物，需

　　证明硅产品表面蚀刻前的粗糙度为0.4‑0.5mm，而蚀刻后粗糙度依旧是0.4‑0.5mm，所以可

　　知采用化学腐蚀清洗的方式对蚀刻前后微孔粗糙度的影响并无明显变化，可见通过化学腐

　　成：氟化铵、硝酸钾、硫酸、过硫酸铵、山梨醇、聚氧乙烯醚化合物、氢氟酸、磷酸脂盐，按重量

　　S1、称取氯化铵后加水溶解，加入硝酸钾、硫酸、过硫酸铵、氢氟酸搅拌均匀并冷

　　S2、将混合溶液加热至30‑50℃，放入表面设有若干个微孔的硅产品做蚀刻。

　　1、本发明的蚀刻液适用于掺杂P型和N型不同电阻率的硅产品，大大降低了蚀刻后

　　2、原有的蚀刻液在配置时会使用高浓度、高腐蚀性的强酸，影响操作者的身体健

　　康，造成极大的损伤，而且产生的有毒气体会对环境能够造成极大的污染；而本发明的蚀刻液在

　　配制中所采用的的原料大多数为盐类，采用的酸也为稀硫酸，所以在反应过程时降低了危

　　3、原有的微孔蚀刻，蚀刻液是很少量进入微孔中，在同样蚀刻时间内反应速度慢，

　　蚀刻率低；而本发明能够最终靠温度和时间的调控来达到快速有效蚀刻的目的，同时还能够

　　上对本领域技术人员而言是显而易见的，或者本领域技术人能从本发明的实践中得到

　　图5为本发明超出配比的硅电极孔蚀刻前500x高清数码显微镜下合成的3D图；

　　图6为本发明配比范围内的硅电极孔蚀刻后500x高清数码显微镜下合成的3D图；

　　S1、按要求称取氯化铵后加适量水溶解，而后依次缓慢加入硝酸钾、硫酸、过硫酸

　　铵搅匀冷却至室温，再加入山梨醇、聚氧乙烯醚化合物、氢氟酸、磷酸脂盐后加余量水定容，

　　S2、加热蚀刻液至35℃，将硅产品横向放置于蚀刻槽中，通过循环过滤系统将蚀刻

　　液抽至产品上方，产品的下方会形成负压，让蚀刻液通过硅产品表面的微孔从上至下流动，

　　由表1可知：蚀刻液中加入氢氟酸后，20个样品置入蚀刻液中进行蚀刻后，得到的

　　样品其粗糙度明显降低至0.3以下；为了保持蚀刻量在0.03以上，在蚀刻时当溶液使用到一

　　20个样品分别置入实施例2‑实施例4制备的蚀刻液中进行蚀刻，结果表2所示：

　　技术问题，在配比范围内的原料制备的蚀刻液，对样品进行蚀刻后，得到的样品蚀刻量、粗

　　氟化铵、硝酸钾以及硫酸反应会分别产生HF和HNO3，硅产品放入混合溶液中，其反

　　化硅反应，达到蚀刻作用，而且硫酸能增加溶液的粘度，减缓蚀刻速度；溶液中添加的山

　　梨醇和聚醚化合物能够更好的降低溶液在产品表面的表面张力，使之反应均匀；溶液中添加适量

　　的氢氟酸可以在反应中起缓冲作用，由于蚀刻时会产生大量的气泡，导致硅产品表面会出

　　现蚀刻速率不均匀现象，而由山梨醇、聚氧乙烯醚化合物、磷酸酯盐组成的添加剂可通过润

　　湿和渗透作用使蚀刻液对产品表明上进行均匀蚀刻，溶液中添加的磷酸酯盐，可以在溶液中

　　S1、按要求称取氯化铵后加适量水溶解，而后依次缓慢加入硝酸钾、硫酸、过硫酸

　　铵搅匀冷却至室温，再加入山梨醇、聚氧乙烯醚化合物、氢氟酸、磷酸脂盐后加余量水定容，

　　S2、加热蚀刻液至35℃，将硅产品横向放置于蚀刻槽中，通过循环过滤系统将蚀刻

　　液抽至产品上方，产品的下方会形成负压，让蚀刻液通过硅产品表面的微孔从上至下流动，

　　由表3可知：在蚀刻温度、时间不变的情况下，蚀刻液的原料组分超出配比后，蚀刻

　　过上述优选实施例已经对本发明进行了详细的描述，但本领域技术人员应当理解，可以在

　　形式上和细节上对其作出各种各样的改变，而不偏离本发明权利要求书所限定的范围。